اثر گاف در رسانندگی الکتریکی گرافین دو لایه
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم پایه
- author فاطمه پاکدل
- adviser ایوب اسماعیل پور مهدی سعادت
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1391
abstract
در این پژوهش به بررسی اثر گاف انرژی و پارامترهای ساختاری بر رسانندگی گرافین دولایه می پردازیم. با قرار دادن یک لایه گرافین بر روی گرافین تک لایه، گرافین دولایه، سیستمی متفاوت با خواص قابل تغییر، تشکیل می شود. یکی از جالب ترین خواص گرافین دولایه گاف انرژی قابل تغییر آن است. این گاف با اعمال بایاس بین دو لایه یا داپینگ یکی از لایه ها ایجاد می شود که منجر به اختلاف پتانسیل بین دولایه می گردد. سیستم ابرشبکه شامل سدها و چاه های پتانسیل متوالی است، با تغییر پتانسیل سد، در یک پتانسیل بحرانی، گاف انرژی تولید می شود و رسانندگی به صفر می رسد. این پتانسیل بحرانی به پارامترهای ساختار ابرشبکه و انرژی ذره فرودی وابسته است. همچنین در ابرشبکه ی گرافین دولایه گاف دار، با تغییر بایاس و بی نظمی آن در بعضی اندازه های گاف، رسانش کمینه یا بیشینه می شود وحتی در بعضی موارد احتمال عبور به یک می رسد. با تغییر پتانسیل سد، پارامترهای ساختار، انرژی ذرات فرودی و بایاس اعمالی می توان عبور و انتقال ذرات را کنترل کرد.
similar resources
اثر گاف انرژی در رسانندگی گرافین تک لایه گاف دار
برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...
15 صفحه اولرسانش اسپینی گرافین گاف دار
در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...
full textاثر بی نظمی گاف در رسانندگی الکتریکی گرافن
عبور الکترون و رسانندگی ابرشبکه ی گرافن را می توان به روش ماتریس گذار بررسی کرد. ابر شبکه گرافن شامل سد و چاههای پشت سر هم است. گرافن بر خلاف رساناهای دیگر، بین باندهای هدایت و ظرفیتش فاصله ندارد. چنین فاصله ای برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد جریان الکترون ها را قطع و وصل کند. یکی از مشکلات وسایلی که با گرافن ساخته می شوند، وجود مینیمم رسانندگی در ولتاژ صفر است....
15 صفحه اولرسانندگی الکتریکی گرافین و نیترید بور دو لایه در مدل تنگ بست
در این پایان نامه ما رسانش الکتریکی گرافین تک لایه با گرافین دو لایه را بررسی می کنیم و همچنین رسانش الکتریکی برای حالتی که در یکی از لایه ها به جای اتم ها کربن نیترید بور قرار دارد تکرار می کنیم نتایج را برای دو حالت که صفحه ها به صورت ساده و برنال روی هم قرار گرفته اند بررسی می کنیم . نمودار های چگالی حالت و رسانش الکتریکی مربوط به آنها را مورد تجزیه و تحلیل قرار می دهیم. برای بررسی این موضوع...
مطالعه اثر هارتمن در گرافین تک لایه گاف دار
تونل زنی کوانتومی در دهه های گذشته مورد توجه زیادی قرار گرفته است. تعداد قابل توجهی از مطالعات بر روی مدت زمانی است که ذره برای عبور از سد پتانسیل سپری می کند.اثر هارتمن بیان می کند که برای سدهای ضخیم زمان تاخیر گروه مستقل از طول سد است که در نهایت به سرعت تونل زنی سوپرلومینال منجر می شود. در این پایا نامه ،اثر هارتمن در گرافین تک لایه در دو حالت بدون گاف و گاف دار و همچنین یک سیستم ترکیبی از گ...
15 صفحه اولبررسی اثر پیچشی روی خواص الکترونی نانو ساختار‌های دو لایه‌ای گرافین و بورن نیترید
در این مقاله، خواص الکتریکی گرافین و بورن نیترید دو بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. تاثیر وجود لایه‌ها روی همدیگر و همچنین پیچش لایه‌ها روی همدیگر مطالعه می‌شود. وجود لایه-ی اضافه موجب ایجاد تراز‌هایی اضافه می‌شود که در مورد گرافین همچنان رسانندگی این ماده را حفظ می‌کند ولی تحرک پذیری آن را به شدت کم می‌کند. اثر پیچش در گرافین و بورن نیترید موجب افزایش تعداد نوار‌های انرژی به هشت عدد می‌شود ک...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم پایه
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023